У компьютеров будет новая память

Тайваньские исследователи представили новый тип компьютерной памяти, получившей название RRAM или Resistive-RAM. Новая память в перспективе может заменить как высокоскоростную, но энергозависимую память DRAM, так и энергонезависимую, но значительно более медленную память NAND, сообщает CyberSecurity.

Модули DRAM памяти используют в качестве решений для оперативной памяти в компьютерах и серверах, а NAND- или флеш-память в портативных электронных устройствах, таких как плееры или фотокамеры. Исследователи из Тайваньского института технологических исследований говорят, что память RRAM объединяет в себе преимущества двух форматов и почти не имеет их недостатков.

«Пока мы находимся на ранней стадии разработки. Сейчас по скорости работы мы не можем конкурировать с DRAM», — говорит Тсай Минг Жинн, директор исследовательского направления наноэлектроники в Тайваньском институте. По его словам, ранее у ученых в разных странах уже были попытки объединения разных форматов памяти, но ничего ценного из этого не получилось.

Дабы не повторять прежних ошибок, тайваньские исследователи намерены создать память формата RRAM более похожей на экспериментальные модули памяти PRAM (Phase-change memory), разработки которой также ведутся на Тайване. Выход PRAM на рынок ожидается во второй половине этого года. Минг Жинн говорит, что в PRAM-памяти есть преимущества, но ее довольно сложно производить в промышленных масштабах.

RRAM является более современным форматом в сравнении в флеш-памятью формата NOR, вместе с тем, разработчики подчеркивают, что сферы применения данных разновидностей памяти будут различаться. Новинка обладает расширенным ресурсом, позволяющим гарантировать более 100 миллионов циклов записи, причем память будет энергонезависимой и расчетное время продолжительности хранения данных превышает 10 лет.

© Наука и технологии РФ
http://news.babr.ru